跟着尺寸的不停微缩,1T1C布局动态随机存储器(DRAM)的存储电容限定问题愈发显著,致使传统1T1C-DRAM面对微缩瓶颈。

基在铟镓锌氧(IGZO)晶体管的2T0C-DRAM有望冲破1T1C-DRAM的微缩瓶颈,于3D DRAM方面阐扬更年夜的上风。但今朝的研究事情都基在平面布局的IGZO器件,形成的2T0C单位尺寸(约莫20F2)比不异特性尺寸下的1T1C单位尺寸(6F2)年夜许多,使IGZO-DRAM缺乏密度上风。

针对于平面布局IGZO-DRAM的密度问题,微电子所微电子重点试验室刘明院士团队于垂直环形沟道布局(Channel-All-Around, CAA)IGZO FET的基础上,研究了第二层器件重叠前层间介质层工艺的影响,验证了CAA IGZO FET于2T0C DARM运用中的靠得住性。

图1: CAA IGZO FET的截面电镜图和转移输出曲线

图2: CAA IGZO FET的靠得住性测试成果

颠末优化后的IGZO FET体现出优异的靠得住性,颠末10000秒栅极偏压应力不变性测试后(包括正偏压与负偏压前提)开云体育手机版app,阈值电压漂移小在25mV,举行1012次写入擦除了操作后没有体现出机能劣化。该研究结果有助在鞭策实现4F2 IGZO 2T0C-DRAM单位。

封面图片来历:拍信网

-开云体育手机版app下载